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IRLZ34L中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLZ34L
廠商型號

IRLZ34L

功能描述

Power MOSFET

文件大小

347.15 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-15 20:00:00

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IRLZ34L規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swichting speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

? Advanced Process Technology

? Surface Mount (IRLZ34S, SiHLZ34S)

? Low-Profile Through-Hole (IRLZ34L, SiHLZ34L)

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRLZ34L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 30A TO-262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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