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IRS2005SPBF集成電路（IC）的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

IRS2005SPBF
廠商型號

IRS2005SPBF
參數(shù)屬性

IRS2005SPBF 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的柵極驅動器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
功能描述

High and Low Side Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
封裝外殼

8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
文件大小

1.98248 Mbytes
頁面數(shù)量

19 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 16:00:00
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IRS2005SPBF規(guī)格書詳情

IRS2005SPBF屬于集成電路（IC）的柵極驅動器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRS2005SPBF柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅動的半導體配置相關。

Description

The IRS2005 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 200 V. Propagation delays are matched to simplify the HVIC’s use in high frequency applications.

Features

? Gate drive supplies up to 20V per channel

? Undervoltage lockout for VCC, VBS

? 3.3 V, 5V , 15V input logic compatible

? Tolerant to negative transient voltage

? Designed for use with bootstrap power supplies

? Matched propagation delays

? Output in phase with the Inputs

? -40°C to 125°C operating range

? RoHS compliant

Typical Applications

? Appliance motor drives

? Servo drives

? Micro inverter drives

? General purpose three phase inverters

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IRS2005SPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.5V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    290mA，600mA

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    70ns，30ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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