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ISF1001

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=450V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=1A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingan

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISLT1001

SwitchingModePowerSupply

ISOCOM

ISOCOM COMPONENTS

KAF-1001

FULLFRAMECCDIMAGESENSOR

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KAF-1001-AAA-CB-AE

FULLFRAMECCDIMAGESENSOR

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KAF-1001-AAA-CP-AE

FULLFRAMECCDIMAGESENSOR

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

KAF-1001E

1024(H)x1024(V)PixelEnhancedResponseFull-FrameCCDImageSensorPerformanceSpecification

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

KBJ1001

SILICONBRIDGERECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

KBJ1001

SILICONBRIDGERECTIFIERS

HY

HY ELECTRONIC CORP.

KBJ1001

BRIDGERECTIFIERS10Amps

BRIDGERECTIFIERS10Amps

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

KBJ1001

10AmpsSingle-PhaseSiliconBridgeRectifiersHighsurgecurrentcapability

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

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更多IS1001B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 14:30:00

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