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IS42S16800E-75EBLI

16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16800E-75EBLI

Package:54-TFBGA;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800E-75EBLI-TR

Package:54-TFBGA;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16800E-75EBL

16Mx8,8Mx16128MbSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16800E-75ET

16Mx8,8Mx16128MbSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16800E-75ETL

16Mx8,8Mx16128MbSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16800E-75ETLI

16Mx8,8Mx16128MbSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S16800E-75EBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    54-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    54-TFBGA(8x8)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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