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IS61WV12816DBLL

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10BI

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10BLI

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TI

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TL

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TLI

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL/DBLS

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61WV12816DBLLSLASHDBLS

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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IS61WV12816DBLL-10BLI-TR

Package：48-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS61WV12816DBLL-10TLI

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IS61WV12816DBLL

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M(128Kx16) 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲(chǔ)容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時(shí)間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI
2320+
TSOP44
5000
只做原裝,特價(jià)清貨!
 詢價(jià)
ISSI
TSOP44
151
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談
 詢價(jià)
ISSI
23+
標(biāo)準(zhǔn)
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
ISSI
17+
TSOP
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ISSI
2020+
TSOP44
10
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
ISSI
24+
SMD
15600
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器2M(128Kx16)10nsAsync靜態(tài)隨機(jī)存取
 詢價(jià)
ISSI
23+
TSOP44
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)
ISSI
22+23+
TSOP
28061
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ISSI
1948+
N/A
18562
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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ISSI
新年份
TSOP
3500
絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨,歡迎來電查詢
 詢價(jià)
更多IS61WV12816DBLL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 15:09:00

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