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ISB3046

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=350V ·GoodLinearityofhFE ·ComplementtoTypeISB3047 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LM3046

TransistorArray

GeneralDescription TheLM3046consistsoffivegeneralpurposesiliconNPN transistorsonacommonmonolithicsubstrate.Twoofthe transistorsareinternallyconnectedtoformadifferentiallyconnected pair.Thetransistorsarewellsuitedtoawide varietyofapplicationsinlowpowersyst

SYC

SYC Electronica

LM3046

LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM3046

TransistorArray

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM3046

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM3046M

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM3046M

LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM3046M/NOPB

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM3046MX

LM3046TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM3046MX

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

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更多ISB3046供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 14:03:00

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