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ISC046N13NM6

Marking：046N13N6；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100%avalanchetestedg ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freele

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多ISC046N13NM6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-14 15:11:00

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