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ISL2111ARTZ

100V, 3A/4A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers

TheISL2110,ISL2111are100V,highfrequency,half-bridge N-ChannelpowerMOSFETdriverICs.Theyarebasedon thepopularHIP2100,HIP2101half-bridgedrivers,butoffer severalperformanceimprovements.Peakoutputpull-up/ pull-downcurrenthasbeenincreasedto3A/4A,which significantly

Intersil

Intersil Corporation

ISL2111ARTZ

Marking：2111ARTZ；Package：10Ld4x4TDFN；100V, 3A/4A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers

100V,3A/4APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers TheISL2110,ISL2111are100V,highfrequency,half-bridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverICs.TheyarebasedonthepopularHIP2100,HIP2101half-bridgedrivers,butofferseveralperformanceimprovements.Peakoutputpull-up/pull-downcurrent

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISL2111ARTZ

100V, 3A/4A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers

100V,3A/4APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers TheISL2110,ISL2111are100V,highfrequency,half-bridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverICs.TheyarebasedonthepopularHIP2100,HIP2101half-bridgedrivers,butofferseveralperformanceimprovements.Peakoutputpull-up/pull-downcurrent

Intersil

Intersil Corporation

ISL2111ARTZ

Package：10-WDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

ISL2111ARTZ-T

Package：10-WDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

ITA-2111

Intel?Atom?E38451UFanlessSystem;EN50121-4CompliantforRailwayApplications

Features ?Built-inIntel?Atom?E3845quad-coreprocessor,1.91GHz ?4GBofDDR3memoryonboard ?1Ufanlessrackmountsystem ?4xGbEand10xRS-232/422/485portswithisolationdesign ?6xUSB2.0and1xUSB3.0slots ?1xVGAand1xDVI-Ddisplayoutputs ?CompliantwithEN5012

ADVANTECHAdvantech Co., Ltd.

研華科技研華科技（中國(guó)）有限公司

KA2111

LINEARINTEGRATEDCIRCUIT

TVVIDEOIFLOW-LEVELDETECTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

KSR2111

PNP(SWITCHINGAPPLICATION)

SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit ?BuiltinbiasResistor(R=22K?) ?ComplementtoKSR1111

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

KSV2111

GLASS-LEADEDGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES

P/NCAPACITANCE KSV21016.8 KSV21028.2 KSV210310.0 KSV210412.0 KSV210515.0 KSV210618.0 KSV210722.0 KSV210827.0 KSV210933.0 KSV211039.0 KSV211147.0 KSV211256.0 KSV211368.0 KSV211482.0 KSV2115100.0

KNOX

Knox Semiconductor, Inc

KV2111

VARACTORDIODESMicrowaveHyperabruptJunction

DESCRIPTION TheKV2100seriesofmicrowavehyperabruptvaractordiodesoffersoctavetuningthrough8GHz.Highreliabilitypassivatedconstruction,insuresexcellentVCOsettlingtimeandposttuningdriftcharacteristics.AswiththeirUHFcounterparts,straight-linetuningcanbeachievedov

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ISL2111ARTZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    8V ~ 14V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    1.4V，2.2V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    3A，4A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    9ns，7.5ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    10-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    10-TDFN（4x4）

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
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更多ISL2111ARTZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-29 11:09:00

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