ISL70040SEHEV2Z中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	ISL70040SEHEV2Z
功能描述	100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor
文件大小	564.94 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱	RENESAS【瑞薩】
中文名稱	瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-21 18:25:00
人工找貨	ISL70040SEHEV2Z價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

Features

? Very low rDS(ON) 5mΩ (typical)

? Ultra low total gate charge 14nC (typical)

? SEE hardness (see SEE report for details)

? SEL/SEB LETTH (VDS = 100V, VGS = 0V):

86MeV?cm2/mg

? ISL70023SEH radiation accepting testing

? High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)

? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? ISL73023SEH radiation accepting testing

? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount

Device (SMD) package

? Package area: 42mm2

? Full military-temperature range operation

? TA = -55°C to +125°C

? TJ = -55°C to +150°C

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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