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IXDA20N120AS

High Voltage IGBT

HighVoltageIGBT ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●highswitchingspeed ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●Internationalstandardp

IXYS

IXYS Corporation

IXDA20N120AS

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 38A 200W TO263AB

IXYS

IXYS Corporation

IXDA20N120AS_11

High Voltage IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXDA20N120AS-TUB

包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXDH20N120

HighVoltageIGBTwithoptionalDiode

HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling ●MOSinpu

IXYS

IXYS Corporation

IXER20N120

NPT3IGBTinISOPLUS247

IXYS

IXYS Corporation

IXFK20N120

HiPerFETPowerMOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFK20N120

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK20N120P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK20N120P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXDA20N120AS

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    3.1mJ（開），2.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件：

    600V，20A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-263AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 38A 200W TO263AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
24+
TO-263
501573
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
IXYS
24+
TO-263(D2PAK)
8866
詢價(jià)
IXYS
23+
原廠原裝
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
AP
23+
TO-252
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
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 詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-263
326
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-263
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
22+
NA
18
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更多IXDA20N120AS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-12 15:00:00

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