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IXDN502SIA 集成電路（IC）柵極驅(qū)動(dòng)器 IXYS

IXDN502SIA參考圖片

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原廠料號(hào)：IXDN502SIA品牌：IXYS艾賽斯

原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；

IXDN502SIA是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商IXYS艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝SOP8/8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的IXDN502SIA柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào)：

    IXDN502SIA

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大?。?/span>

    409.66 kb

  • 資料說明：

    2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXDN502SIA

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    低端

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 30V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，3V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    2A，2A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    7.5ns，6.5ns

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    Alan

  • 手機(jī)：

    13316570454

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13316570454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)荔村社區(qū)2008號(hào)華聯(lián)發(fā)綜合樓811

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