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IXFK48N55中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXFK48N55
廠商型號(hào)

IXFK48N55

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs

文件大小

51.56 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-23 11:27:00

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IXFK48N55規(guī)格書詳情

Single MOSFET Die Avalanche Rated

Features

? International standard packages

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

- easy to drive and to protect

? Fast intrinsic rectifier

Applications

? DC-DC converters

? Battery chargers

? Switched-mode and resonant-mode power supplies

? DC choppers

? AC motor control

? Temperature and lighting controls

Advantages

? PLUS 247TMpackage for clip or spring mounting

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFK48N55

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HiPerFET™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
23+
TO-3PL
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IXYS
17+
TO-3PL
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
32322
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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78000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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IXYS
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主營(yíng)模塊
190
原裝正品,現(xiàn)貨供應(yīng)
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IXYS(艾賽斯)
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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IXYS
24+
TO-3PL
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詢價(jià)
IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
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TO-3P
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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