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IXFN32N60中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFN32N60
廠商型號

IXFN32N60
功能描述

HiPerFET Power MOSFET
文件大小

192.1 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 13:01:00
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IXFN32N60規(guī)格書詳情

HiPerFET? Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr

Features

? International standard packages

? JEDEC TO-264 AA, epoxy meet

UL 94 V-0, flammability classification

? miniBLOC with Aluminium nitride isolation

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

? Fast intrinsic Rectifier

Applications

? DC-DC converters

? Synchronous rectification

? Battery chargers

? Switched-mode and resonant-mode

power supplies

? DC choppers

? Temperature and lighting controls

? Low voltage relays

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IXFN32N60

  • 功能描述：

    MOSFET 32 Amps 600V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品
 詢價
IXYS
23+
標準封裝
5000
原廠授權一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質保
 詢價
德國IXYS艾塞斯
23+
MOUDLE
12000
原裝正品假一罰十支持實單
 詢價
IXYS
24+
SOT-227B
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
27533
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
IXYS場效應
100
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠
 詢價
IXYS
24+
SOT227
568
詢價
IXYS
23+
MOSFETN-CH600V32ASOT-227
1690
專業(yè)代理銷售半導體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價
ST
21+
MODULE
23480
詢價
IXYS
22+
SOT2274 miniBLOC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價

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