首頁>IXFT58N20Q>規(guī)格書詳情
IXFT58N20Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IXFT58N20Q |
| 功能描述 | HiPerFET Power MOSFETs |
| 文件大小 |
356.34 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-24 23:01:00 |
| 人工找貨 | IXFT58N20Q價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXFT58N20Q規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated High dv/dt, Low Qg
Features
? IXYS advanced low Qg process
? International standard packages
? Low gate charge and capacitance
- easier to drive
- faster switching
? Low RDS (on)
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXFT58N20Q
- 功能描述：
MOSFET 200V 58A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
NA/ |
295 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
1207+ |
10 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
24+ |
TO-268 |
121 |
詢價(jià) | |||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
2022+ |
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
2022+ |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
7000 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO-268 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
