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IXGH17N100A

Low V IGBT High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGH17N100A

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGH17N100A

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 34A 150W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXGH17N100AU1

Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode

Features ?Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ?IGBTandanti-parallelFREDinone package ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconduction losses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

IXYS

IXYS Corporation

IXGH17N100AU1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 34A 150W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100A

LowVIGBTHighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

IXYS Corporation

IXGM17N100A

LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT

Features ●Internationalstandardpackages ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●Voltageratingguaranteedathigh temperature(125°C) Applications ●AC

IXYS

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGH17N100A

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    4V @ 15V，17A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    100ns/500ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，17A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1000V 34A 150W TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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IXYS/艾賽斯
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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TO247AD (IXGH)
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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更多IXGH17N100A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-28 9:03:00

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