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IXGH30N60C3

GenX3 600V IGBT

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features Optimizedforlowswitchinglosses SquareRBSOA Internationalstandardpackages

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C3

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 220W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C3C1

GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching Features ●OptimizedforLowSwitchingLosses ●SquareRBSOA ●Anti-ParallelSchottkyDiode ●InternationalStandardPackages Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDriveRequirement Applications ●HighFrequencyPowerInverters ●UPS ●

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

High-SpeedPTIGBTsfor40-100kHzSwitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFrequencyPowerInverters ?UPS

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C3C1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 220W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXGH30N60C3D1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 220W TO247

IXYS

IXYS Corporation

G30N60C3D

63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

Features ?63A,600VatTC=25oC ?TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC ?ShortCircuitRating ?LowConductionLoss ?HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60C3

63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG30N60C3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately

Intersil

Intersil Corporation

HGTG30N60C3D

63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

Description TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarieso

HARRIS

Harris Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH30N60C3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    270μJ（開），90μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    16ns/42ns

  • 測試條件：

    300V，20A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 220W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
20+
TO-247
36900
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TO-247
1675
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IXYS/艾賽斯
23+
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5425
公司只做原裝正品
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IXYS/艾賽斯
23+
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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18
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IXYS
22+
TO247AD (IXGH)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS/艾賽斯
2022
TO-247
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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TO247AD (IXGH)
13880
公司只售原裝,支持實單
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TO-247
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
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更多IXGH30N60C3供應(yīng)商 更新時間2025-2-7 17:21:00

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