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IXGR50N60C2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXGR50N60C2
廠商型號(hào)

IXGR50N60C2
參數(shù)屬性

IXGR50N60C2 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
功能描述

HiPerFAST IGBT with Diode C2-Class High Speed IGBTs
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

511.04 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IXYS

中文名稱(chēng)

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 15:01:00
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IXGR50N60C2規(guī)格書(shū)詳情

IXGR50N60C2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGR50N60C2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? Very high frequency IGBT and anti-parallel FRED in one package

? Square RBSOA

? High current handling capability

? MOS Gate turn-on for drive simplicity

? Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM

Applications

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? DC choppers

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

Advantages

? Space savings (two devices in one package)

? Easy to mount with 1 screw

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGR50N60C2

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    380μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    18ns/115ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，40A，2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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