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IXGT32N90B2分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
IXGT32N90B2 |
參數屬性 | IXGT32N90B2 封裝/外殼為TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 900V 64A 300W TO268 |
功能描述 | HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs |
封裝外殼 | TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA |
文件大小 |
207.97 Kbytes |
頁面數量 |
7 頁 |
生產廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-2-21 18:09:00 |
人工找貨 | IXGT32N90B2價格和庫存,歡迎聯系客服免費人工找貨 |
IXGT32N90B2規(guī)格書詳情
IXGT32N90B2屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXGT32N90B2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
IXGT32N90B2
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
HiPerFAST?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,32A
- 開關能量:
2.6mJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
20ns/260ns
- 測試條件:
720V,32A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
- 供應商器件封裝:
TO-268AA
- 描述:
IGBT 900V 64A 300W TO268
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
0828+ |
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IXYS |
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