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IXGT60N60

Ultra-Low VCE(sat) IGBT

Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 ?NewgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobot

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IXGT60N60

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 300W TO268

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IXGT60N60B2

Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching

Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto100KHzresonantswitching Features MediumfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-mo

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IXGT60N60C2

HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs

HiPerFAST?IGBTC2-ClassHighSpeedIGBTs Features VeryhighfrequencyIGBT SquareRBSOA Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-modeandresonant-modepowersuppl

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IXGT60N60C3D1

GenX3 600V IGBTs with Diode

HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?HighAvalancheCapability ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?HighFreque

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IXGT60N60B2

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 500W TO268

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IXGT60N60C2

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 480W TO268

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NGTB60N60SWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NP60N60VDK

60V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NST60N60SJ

N-ChannelPowerMOSFET60A/600V

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT60N60

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    8mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    50ns/300ns

  • 測試條件：

    480V，60A，2.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 300W TO268

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGT60N60供應(yīng)商 更新時間2025-2-21 15:30:00

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