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IXSH10N60B2D1分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXSH10N60B2D1
廠商型號

IXSH10N60B2D1
參數屬性

IXSH10N60B2D1 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 20A 100W TO247
功能描述

High Speed IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability
IGBT 600V 20A 100W TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

517.22 Kbytes
頁面數量

6 頁
生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-22 17:35:00
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IXSH10N60B2D1規(guī)格書詳情

IXSH10N60B2D1屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXSH10N60B2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

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  • 產品編號：

    IXSH10N60B2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，10A

  • 開關能量：

    430μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    30ns/180ns

  • 測試條件：

    480V，10A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 100W TO247

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