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IXTA180N10T7

PreliminaryTechnical Information TrenchMVTM Power MOSFET

TrenchMV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Hig

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數

  • 型號：

    IXTA180N10T7

  • 功能描述：

    MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-263-7(IXTA)
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
24+
TO-263
1000
只做原廠渠道 可追溯貨源
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IXYS
24+
TO-263
100
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IXYS
19+
TO-263
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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IXYS
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更多IXTA180N10T7供應商 更新時間2025-2-7 18:38:00

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