IXTA2N80中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IXTA2N80規(guī)格書詳情
High Voltage MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated
Features
? International standard packages
? Low RDS (on) HDMOSTM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Low package inductance (< 5 nH) - easy to drive and to protect
? Fast switching times
Applications
? Switch-mode and resonant-mode power supplies
? Flyback inverters
? DC choppers
Advantages
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IXTA2N80
- 功能描述：
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
NA/ |
100 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原裝正品，支持實單 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-263AA |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-263 |
4800 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
TO-263 |
501584 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
71431 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-263 |
8866 |
詢價 |
