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IXTP10N60P中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTP10N60P
廠商型號

IXTP10N60P

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

295.2 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-24 22:30:00

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IXTP10N60P規(guī)格書詳情

? FEATURES

? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤ 740m?@VGS=10V

? Fully characterized avalanche voltage and current

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

? APPLICATION

? DC/DC Converter

? Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

? Uninterrupted Power Supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTP10N60P

  • 功能描述:

    MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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