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IXTP3N120中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTP3N120
廠商型號

IXTP3N120
功能描述

High Voltage Power MOSFETs
文件大小

562.72 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 13:22:00
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IXTP3N120規(guī)格書詳情

Features

● International standard packages

● Low RDS (on)

● Rated for unclamped Inductive load Switching (UIS)

● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IXTP3N120

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
utc
2023+
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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