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IXXH30N65B4D1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
IXXH30N65B4D1 |
參數(shù)屬性 | IXXH30N65B4D1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT |
功能描述 | Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
217.42 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-21 16:56:00 |
人工找貨 | IXXH30N65B4D1價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IXXH30N65B4D1規(guī)格書詳情
IXXH30N65B4D1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXXH30N65B4D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IXXH30N65B4D1
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
XPT?, GenX4?
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,30A
- 開關能量:
1.04mJ(開),730μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
20ns/150ns
- 測試條件:
400V,30A,15 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247AD
- 描述:
IGBT
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
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