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IXXN110N65C4H1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

IXXN110N65C4H1
廠商型號(hào)

IXXN110N65C4H1

參數(shù)屬性

IXXN110N65C4H1 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B

功能描述

IGBT

封裝外殼

SOT-227-4,miniBLOC

文件大小

334.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-14 19:00:00

IXXN110N65C4H1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.35V@IC=110A

·High Current Handling Capability

·High Power Density

·Short Circuit Capabiltiy

APPLICATIONS

·Synchronous Rectification in SMPS

·Power Inverters

·UPS,PFC

·High Frequency Power Inverters

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXXN110N65C4H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    XPT?, GenX4?

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    PT

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,110A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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