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IXYN30N170CV1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXYN30N170CV1
廠商型號(hào)

IXYN30N170CV1

參數(shù)屬性

IXYN30N170CV1 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT

功能描述

High Voltage XPT IGBT w/ Diode
1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT

封裝外殼

SOT-227-4,miniBLOC

文件大小

207.66 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-16 10:35:00

IXYN30N170CV1規(guī)格書詳情

IXYN30N170CV1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYN30N170CV1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXYN30N170CV1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    XPT?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.7V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    5.9mJ(開(kāi)),3.3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    28ns/150ns

  • 測(cè)試條件:

    850V,30A,2.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
24+
SOT-227-4
4926
專注IXYS品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
詢價(jià)
IXYS
22+
SOT227B
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
IXYS
21+
SOT227B
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
IXYS
22+
SOT227
8000
原裝正品支持實(shí)單
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3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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