JAN2N3439分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
JAN2N3439 |
| 參數(shù)屬性 | JAN2N3439 封裝/外殼為TO-205AD，TO-39-3 金屬罐；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 350V 1A TO39 |
| 功能描述 | NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 |
| 文件大小 |
312.18 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-20 18:35:00 |
JAN2N3439規(guī)格書(shū)詳情
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/368
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
JAN2N3439
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/368
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 4mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
2μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 20mA，10V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-39（TO-205AD）
- 描述：
TRANS NPN 350V 1A TO39
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
24+ |
TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
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