JTDB25分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
JTDB25 |
| 參數(shù)屬性 | JTDB25 封裝/外殼為55AW-1；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1 |
| 功能描述 | High power COMMON BASE bipolar transistor. |
| 封裝外殼 | 55AW-1 |
| 文件大小 |
113.08 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
GHZTECH |
| 中文名稱 | GHz Technology官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-4-1 11:10:00 |
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JTDB25規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The JTDB 25 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
JTDB25
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
55V
- 頻率 - 躍遷：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
7.5dB
- 功率 - 最大值：
97W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
5A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55AW-1
- 供應(yīng)商器件封裝：
55AW-1
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XP |
23+ |
DIP |
13000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
GHZTECH |
23+ |
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專注XP品牌原裝正品代理分銷,認準水星電子 |
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Microsemi |
1942+ |
N/A |
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詢價 | ||
GHZ |
24+ |
90 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | |||
JT |
6000 |
面議 |
19 |
DO-35 |
詢價 |
