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JTDB25分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

JTDB25
廠商型號

JTDB25

參數(shù)屬性

JTDB25 封裝/外殼為55AW-1;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

功能描述

25 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics, 960-1215 MHz
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

封裝外殼

55AW-1

文件大小

187.17 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-31 10:54:00

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JTDB25規(guī)格書詳情

JTDB25屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的JTDB25晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

GENERAL DESCRIPTION

The JTDB25 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    JTDB25

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    55V

  • 頻率 - 躍遷:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    97W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 500mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55AW-1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    55AW-1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

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