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UPA2792AGR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2792AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=5A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5A) P-channelRDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2792GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2792GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=5A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5A) P-channelRDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2792GR

N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

UPC2792TB

5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER

CEL

California Eastern Labs

UPC2792TB

5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICVHF-UHFWIDEBANDAMPLIFIER

DESCRIPTION TheμPC2791TBandμPC2792TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas2ndIFbufferamplifierforDBStuners.TheseICsarepackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold.So,inthecaseofreducingyoursystemsize,μPC2791TBandμPC2792T

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多K2792供應商 更新時間2025-4-6 14:02:00

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