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K4S561632D-TCSLASHL1L

256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

GENERALDESCRIPTION TheK4S561632Dis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,196,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarep

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

K4S561632D-TCSLASHL1H

256MbitSDRAM4Mx16bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL

GENERALDESCRIPTION TheK4S561632Dis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,196,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarep

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多K4S561632D-TCSLASHL1L供應商 更新時間2025-2-24 8:30:00

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