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MRF857D

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. ?SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF857S

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. ?SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF857S

NPNSiliconRFPowerTransistor

TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. ?SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MUR857

GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER

JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司

MUR857

GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER

FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Singlerectifierconstruction ?Highsurgecapability ?Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro

JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司

MX857

SingleDriverforGaAsFETSwitchesandAttenuators

Clare

Clare, Inc.

MZ857

3WATTGLASSZENERDIODES

FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

NTE857

IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier

Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof

NTE

NTE Electronics

NTE857M

IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier

Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof

NTE

NTE Electronics

NTE857SM

IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier

Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof

NTE

NTE Electronics

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    K857PH

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    傳感器，變送器 > 光學(xué)傳感器 - 光電二極管

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 波長：

    950nm

  • 頻譜范圍：

    710nm ~ 1100nm

  • 二極管類型：

    引腳

  • 響應(yīng)時(shí)間：

    2.5μs，3.9μs

  • 電流 - 暗（典型值）：

    1nA

  • 有效面積：

    1.6mm2

  • 視角：

    120°

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 110°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-VDFN 裸露焊盤

  • 描述：

    FOUR QUADRANT PHOTO PIN DIODE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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KYCON
NDC
188
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更多K857PH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-6 11:06:00

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