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KHB4D0N80F2中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

KHB4D0N80F2
廠商型號

KHB4D0N80F2

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.28958 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-24 17:20:00

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KHB4D0N80F2規(guī)格書詳情

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Isolated Central Mounting Hole

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    KHB4D0N80F2

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全稱:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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