KSC5030分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
KSC5030 |
| 參數屬性 | KSC5030 封裝/外殼為TO-3P-3 整包；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 800V 6A TO3PF |
| 功能描述 | NPN (HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY) |
| 封裝外殼 | TO-3P-3 整包 |
| 文件大小 |
215.78 Kbytes |
| 頁面數量 |
6 頁 |
| 生產廠商 | Samsung semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Samsung【三星】 |
| 中文名稱 | 三星半導體官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-7 11:50:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
KSC5030三極管、KSC5030晶體管、KSC5030晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
功率開關 （PSW）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
6A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數：
- 圖片代號：
B-33
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
6
- wtest：
100
KSC5030規(guī)格書詳情
HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILTY
HIGH SPEED SWITCHING
WIDE SOA
產品屬性
- 產品編號：
KSC5030FRTU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 600mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 600mA，5V
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3 整包
- 供應商器件封裝：
TO-3PF
- 描述：
TRANS NPN 800V 6A TO3PF
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
220 |
2560 |
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FAIRCHILD |
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NA |
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TO-3PF |
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