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KSH31C-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.2V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多KSH31C-251供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 9:50:00