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L6384ED013TR集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

L6384ED013TR
廠商型號(hào)

L6384ED013TR

參數(shù)屬性

L6384ED013TR 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

功能描述

High-voltage half bridge driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

207.39 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-6 23:00:00

L6384ED013TR規(guī)格書詳情

L6384ED013TR屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的L6384ED013TR柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Description

The L6384E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive N-channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices. Matched delays between Low and High Side Section simplify high frequency operation. Dead time setting can be readily accomplished by means of an external resistor.

Features

■ High voltage rail up to 600V

■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range

■ Driver current capability:

– 400mA source,

– 650mA sink

■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load

■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down

■ Shut down input

■ Dead time setting

■ Under voltage lock out

■ Integrated bootstrap diode

■ Clamping on VCC

■ SO-8/DIP-8 packages

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    L6384ED013TR

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    14.6V ~ 16.6V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.5V,3.6V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    400mA,650mA

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    50ns,30ns

  • 工作溫度:

    -45°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
23+
NA/
120
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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ST(意法半導(dǎo)體)
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SOP-8
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深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。
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