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L8801PR中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

L8801PR
廠商型號

L8801PR

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE

文件大小

47.62 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-6 22:58:00

L8801PR規(guī)格書詳情

General Description

Silicon LDMOS transistor designed specifically for Broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular Base Staions, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Drivers and others.

Polyfet process features low feedback and output capacitances, resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

13.0 Watts Single Ended

Package Style S08P

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE ROHS COMPLIANT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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