LET9060TR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
LET9060TR |
| 參數(shù)屬性 | LET9060TR 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | PowerSO-10RF / PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線） |
| 文件大小 |
225.91 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-15 16:42:00 |
LET9060TR規(guī)格書詳情
LET9060TR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的LET9060TR晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The LET9060 is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power MOSFET. It is designed for high gain, broadband, commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. LET9060 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. LET9060’s superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications.
Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 60 W with 17.2 dB gain @ 960 MHz / 28 V
■ New RF plastic package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
LET9060TR
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
17.2dB
- 額定電流（安培）：
12A
- 功率 - 輸出：
60W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（成形引線）
- 描述：
RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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