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LMG3422R050_V01

LMG342xR050 600-V 50-m廓 GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600-VGaN-on-SiFETwithIntegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsCMTI –3.6-MHzswitchingfrequency –20-V/nsto150-V/nsslewrateforoptimization ofswitchingperformanceand

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

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更多LMG3422R050_V01供應(yīng)商 更新時間2025-5-19 16:30:00

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