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LN55中文資料松下數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LN55
廠商型號

LN55

功能描述

GaAs Infrared Light Emitting Diode

文件大小

38.03 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Panasonic Semiconductor
企業(yè)簡稱

Panasonic松下

中文名稱

松下電器官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-19 14:12:00

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LN55規(guī)格書詳情

GaAs Infrared Light Emitting Diode

For optical control systems

Features

● High-power output, high-efficiency : PO = 3.5 mW (typ.)

● Suited for use with silicon photodetectors

● Infrared light emission close to monochromatic light : λP = 950 nm (typ.)

● High-speed modulation capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    LN55

  • 功能描述:

    IR LED 950NM 35 DEG SIDE VIEW

  • RoHS:

  • 類別:

    光電元件 >> 紅外發(fā)射極

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,200

  • 系列:

    - 電流 - DC

  • 正向(If):

    100mA

  • 輻射強度(le)最小值@正向電流:

    27mW/sr @ 100mA

  • 波長:

    940nm

  • 正向電壓:

    1.6V

  • 視角:

    40°

  • 方向:

    頂視圖

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    徑向

  • 包裝:

    帶卷(TR)

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