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LN60A01EP

Marking：LN60A01E；Package：PDIP-8；600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

MPSMonolithic Power Systems Inc.

美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司

KSL60A01B

SchottkyBarrierDiode

FEATURES *SimilartoTO-247AC(TO-3P)Case *ExtremelyLowForwardVoltageDrop *LowPowerLoss,HighEfficiency *HighSurgeCurrentCapability

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

LN60A01

600V,TripleN-ChannelMOSFETwithCommonGateControl

MPSMonolithic Power Systems Inc.

美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司

LN60A01ES

600V,TripleN-ChannelMOSFETwithCommonGateControl

MPSMonolithic Power Systems Inc.

美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    LN60A01EP

  • 功能描述：

    MOSFET 600V, 3 N-Channel FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Monolithic
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MONOLITHIC
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MPS/美國芯源
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NA
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Monolithic Power Systems Inc.
22+
8PDIP
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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2022
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2022+
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更多LN60A01EP供應商 更新時間2025-2-6 10:18:00

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