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LT3383IUJM#WPBF	文件：1.01168 Mbytes Page：18 Pages	MultioutputPowerManagementSolutionwithFourBuckSwitchingandThreeLDOLinearRegulators	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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MCH3383	文件：391.83 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerMOSFET??2V,??.5A,69m廓,SingleMCPH3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MCH3383	文件：499.77 Kbytes Page：7 Pages	LowVoltageDriveSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
MCH3383	文件：376.59 Kbytes Page：4 Pages	LowVoltageDriveSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
MCH3383-TL-H	文件：391.83 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerMOSFET??2V,??.5A,69m廓,SingleMCPH3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MS3383	文件：96.11 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS3383isacommonbase,hermeticallysealedsiliconNPNmicrowavepowertransistor.ThisdeviceisdesignedforClassCapplicationsinthe1-3GHzfrequencyrange.Goldmetallizationandemitterballastingprovidelongtermreliabilityandsuperiorruggedness. Features ?GO	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

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