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SIA413DJ

P-Channel12-V(D-S)MOSFET

DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectricalcharacteristicsofthep-channelverticalDMOS.Thesubcircuitmodelisextractedandoptimizedoverthe?55to125°Ctemperaturerangesunderthepulsed0-Vto5-Vgatedrive.Thesaturatedoutputimpedanceisbestfitatthe

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多LSM413供應(yīng)商 更新時間2025-4-9 10:01:00

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