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M29W400DB70ZE6E_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-美光科技

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原廠料號(hào)：M29W400DB70ZE6E品牌：Micron Technology Inc.

資料說(shuō)明：IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

M29W400DB70ZE6E是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ELPIDA/美光科技生產(chǎn)封裝48-TFBGA的M29W400DB70ZE6E存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    m29w400db70ze6e

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ELPIDA【美光科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Elpida Memory

  • 中文名稱：

    美光科技股份有限公司

  • 資料說(shuō)明：

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    M29W400DB70ZE6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（512K x 8，256K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x9）

  • 描述：

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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