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M378T6553BG0-CD5/CC中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
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廠商型號(hào) |
M378T6553BG0-CD5/CC |
功能描述 | DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
文件大小 |
367.17 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
23 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Samsung semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Samsung【三星】 |
中文名稱 | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-24 22:58:00 |
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M378T6553BG0-CD5/CC規(guī)格書詳情
DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE
240pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die
64/72-bit Non-ECC/ECC
Features
? Performance range
? JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply
? VDDQ = 1.8V ± 0.1V
? 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin
? 4 Banks
? Posted CAS
? Programmable CAS Latency: 3, 4, 5
? Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4
? Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
? Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)
? Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
? Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)
? Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
? On Die Termination
? Average Refresh Period 7.8us at lower than a TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95 °C
- support High Temperature Self-Refresh rate enable feature
? Package: 60ball FBGA - 64Mx8 , 84ball FBGA - 32Mx16
? All of Lead-free products are compliant for RoHS
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
M378T6553BG0-CD5/CC
- 制造商:
SAMSUNG
- 制造商全稱:
Samsung semiconductor
- 功能描述:
DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISH |
2016+ |
QFP |
8880 |
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詢價(jià) | ||
MIT |
2020+ |
QFP |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
MIT |
01+ |
QFP |
600 |
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詢價(jià) | ||
MITSUBISHI |
23+ |
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MITSUBIS |
23+ |
QFP |
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MITSUBIS |
2138+ |
TQFP |
8960 |
專營BGA,QFP原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
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MIT |
04+ |
QFP |
53 |
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三凌 |
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MITSUBISHI |
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MIT |
2016+ |
QFP100P |
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