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MAGX-000912-250L00分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MAGX-000912-250L00
廠商型號(hào)

MAGX-000912-250L00
參數(shù)屬性

MAGX-000912-250L00 包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ
功能描述

GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 250W Peak, 960-1215 MHz, 128關(guān)s Pulse, 10 Duty
文件大小

788.79 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 M/A-COM Technology Solutions, Inc.
企業(yè)簡稱

MA-COM

中文名稱

M/A-COM Technology Solutions, Inc.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 8:23:00

MAGX-000912-250L00規(guī)格書詳情

Product Description

The MAGX-000912-250L00 is a gold metalized matched Gallium Nitride (GaN) on Silicon Carbide RF power transistor optimized for civilian and military pulsed avionics amplifier applications the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN . Using state of the art wafer fabrication processes, these high performance transistors provide high gain, efficiency, bandwidth, ruggedness over a wide bandwidth for today’s demanding application needs. High breakdown voltages allow for reliable and stable operation in extreme mismatched load conditions unparalleled with older semiconductor technologies.

Features

? GaN depletion mode HEMT microwave transistor

? Internally matched

? Common source configuration

? Broadband Class AB operation

? RoHS Compliant

? +50V Typical Operation

? MTTF of 114 years (Channel Temperature

Applications

? Avionics: Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MAGX-000912-250L00

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    HEMT

  • 增益：

    18.6dB

  • 額定電流（安培）：

    8.6A

  • 功率 - 輸出：

    250W

  • 描述：

    TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
M/A-Com Technology Solutions
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