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NCE6080

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6080usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6080A

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6080Ausesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)=6.5mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=7.5mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Highdensityce

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6080AI

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6080AIusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)=5.5mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=6.5mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Highdensityc

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE6080AK

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6080AKusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)=6mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=7mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Highdensitycell

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE6080AT

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6080ATusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)=5.5mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=6.5mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Highdensityc

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE6080D

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6080Dusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE6080ED

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6080EDusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE6080EK

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6080EKusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE6080K

N-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NCE6080K

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MAN6080

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    光電器件 > 顯示器模塊 - LED 字符與數(shù)字

  • 包裝：

    管件

  • 字符數(shù)：

    1

  • 大小 / 尺寸：

    0.750" 高 x 0.480" 寬 x 0.315" 直徑（19.05mm x 12.20mm x 8.00mm）

  • 數(shù)字/字母大小：

    0.56"（14.22mm）

  • 顯示類型：

    7 段

  • 通用引腳：

    共陰極

  • 顏色：

    紅色

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.8V

  • 電流 - 測試：

    20mA

  • 毫燭光等級：

    3.9mcd

  • 波長 - 峰值：

    650nm

  • 功率耗散（最大值）：

    37mW

  • 封裝/外殼：

    10-DIP（0.600"，15.24mm）

  • 描述：

    DISPLAY 7SEG 0.56\

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Fairchild
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原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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MAN6410
1480
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更多MAN6080供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 15:30:00

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