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MMBF170

0.5A,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCMMBF170isanN-channelenhancementMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),lowinputcapacitance,lowgatethresholdvoltageandhighswitchingspeed. FEATURES *RDS(ON)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MMBF170

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ●Surface-mountedpackage ●Advancedtrenchcelldesign ●Extremelylowthresholdvoltage ●ESDprotected(HBM>2KV) Quickreference ●BV≧60V ●Ptot≦0.83W ●ID≦0.5A ●RDS(ON)≦3Ω@VGS=10V ●RDS(ON)≦4Ω@VGS=4.5V

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

MMBF170L

PowerMOSFET

PowerMOSFET 500mA,60V,N?ChannelSOT?23 Features ?NVBFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

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更多MBR170供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 15:30:00

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