首頁(yè)>MBT3904DW1T1G>詳情

MBT3904DW1T1G_NSC/美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN正納電子一部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    MBT3904DW1T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NA

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    26094

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-13 16:18:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：MBT3904DW1T1G品牌：NA

10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè)

  • 芯片型號(hào)：

    MBT3904DW1T1G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大小：

    105.62 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual General Purpose Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    MBT3904DW1T1G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī)：

    15986777949

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號(hào)新欣大廈B座318

相近型號(hào)